AEC-Q100 FRAM Infineon, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256 kB, 32K x 8 bits, 70 ns, 5.5V, 2.7 V
- Código RS:
- 125-4205P
- Nº ref. fabric.:
- FM18W08-SG
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 10 unidades (suministrado en tubo)*
149,10 €
(exc. IVA)
180,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 73 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 49 | 14,91 € |
| 50 + | 13,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 125-4205P
- Nº ref. fabric.:
- FM18W08-SG
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 28 | |
| Altura | 2.37mm | |
| Longitud | 18.11mm | |
| Anchura | 7.62mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Número de palabras | 32k | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 28 | ||
Altura 2.37mm | ||
Longitud 18.11mm | ||
Anchura 7.62mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Número de palabras 32k | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Enlaces relacionados
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM18W08-SG SOIC 256 kB 70 ns 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon SOIC 256 kB 70 ns 2.7 V
- FRAM Infineon FM18W08-SGTR SOIC-28 32K x 8 bits 5.5V, 2.7 V
- FRAM Infineon SOIC-28 32K x 8 bits 5.5V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM28V020-SG SOIC 256 kB 70 ns 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM1808B-SG SOIC 256 kB 70 ns 4.5 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon SOIC 256 kB 70 ns 2 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon SOIC 256 kB 70 ns 4.5 V