AEC-Q100 FRAM Infineon FM1808B-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256 kB, 32K x 8 Bit, 70 ns, 5.5 V, 4.5 V

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Código RS:
124-2981
Nº ref. fabric.:
FM1808B-SG
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

FRAM

Tamaño de la memoria

256kB

Tipo de interfaz

Paralelo

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

70ns

Frecuencia del reloj máxima

1MHZ

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOIC

Número de pines

28

Altura

2.37mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

18.11mm

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Número de palabras

32k

FRAM, Cypress Semiconductor


La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)


FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

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