FRAM Infineon FM18W08-SGTR, 28 pines, SOIC-28, 256 kB, 32K x 8 bits, 70 ns, 5.5V, 2.7 V
- Código RS:
- 273-5303
- Nº ref. fabric.:
- FM18W08-SGTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5303
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- FM18W08-SGTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC-28 | |
| Número de pines | 28 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 32k | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC-28 | ||
Número de pines 28 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 32k | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 32 K x 8 que lee y escribe similar a una SRAM estándar. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil, lo que significa que los detalles se conservan después de retirar la alimentación. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina las preocupaciones de fiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades de diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería. El tiempo de escritura rápido y la alta resistencia a la escritura hacen que la FRAM sea superior a otros tipos de memoria.
Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Compatible con SRAM y EEPROM
Superior a los módulos SRAM con soporte de batería
Resistente a descargas de tensión negativas
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