AEC-Q100 FRAM Infineon, 14 pines, SOIC, 64 kB, 8K x 8 bits, 3000 ns, 3.6V, 2.7 V
- Código RS:
- 181-7458
- Nº ref. fabric.:
- FM31L276-G
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 181-7458
- Nº ref. fabric.:
- FM31L276-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Organización | 8K x 8 bits | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 3000ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 14 | |
| Altura | 1.48mm | |
| Anchura | 3.98mm | |
| Longitud | 8.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de palabras | 8K | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Organización 8K x 8 bits | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 3000ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 14 | ||
Altura 1.48mm | ||
Anchura 3.98mm | ||
Longitud 8.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de palabras 8K | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
64-Kbit/256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)
Logically organized as 8K x 8 (FM31L276)/
32K x 8 (FM31L278)
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
High Integration Device Replaces Multiple Parts
Serial nonvolatile memory
Real time clock (RTC)
Low voltage reset
Watchdog timer
Early power-fail warning/NMI
Two 16-bit event counter
Serial number with write-lock for security
Real-time Clock/Calendar
Backup current at 2 V: 1.15 A at +25 C
Seconds through centuries in BCD format
Tracks leap years through 2099
Uses standard 32.768 kHz crystal (6 pF/12.5 pF)
Software calibration
Supports battery or capacitor backup
Processor Companion
Active-low reset output for VDD and watchdog
Programmable low-VDD reset trip point
Manual reset filtered and debounced
Programmable watchdog timer
Dual Battery-backed event counter tracks system intrusions or other events
Comparator for power-fail interrupt
64-bit programmable serial number with lock
Fast 2-wire serial interface (I2C)
Up to 1-MHz frequency
Supports legacy timings for 100 kHz and 400 kHz
RTC, Supervisor controlled via I
2C interface
Device select pins for up to 4 memory devices
Low power consumption
1.5 mA active current at 1 MHz
120 A standby current
Operating voltage: VDD = 2.7 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 C to +85 C
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