FRAM Infineon, 8 pines, DFN, SPI, 64 kB, 8K x 8 bit, 20 ns, 3.65 V, 2.7 V

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Código RS:
188-5412
Nº ref. fabric.:
FM25CL64B-DG
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

64kB

Tipo de producto

FRAM

Tipo de interfaz

SPI

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

20ns

Tipo de montaje

Superficie

Frecuencia del reloj máxima

20MHZ

Encapsulado

DFN

Número de pines

8

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.5mm

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Número de palabras

8K

Estándar de automoción

No

Tensión de alimentación máxima

3.65V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación mínima

2.7V

FRAM, Cypress Semiconductor


La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)


FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

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