FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 3.65V, 2.7 V
- Código RS:
- 273-5323
- Nº ref. fabric.:
- FM25CL64B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5323
- Nº ref. fabric.:
- FM25CL64B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 8K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 20MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de palabras | 8k x 8 | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.65V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 8K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 20MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de palabras 8k x 8 | ||
Tensión de alimentación máxima 3.65V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Estándar de automoción No | ||
La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 64 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.
Conforme a RoHS
Funcionamiento de baja tensión
Bajo consumo de energía
Interfaz periférica serie muy rápida
Esquema de protección de escritura sofisticado
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