AEC-Q100 FRAM Infineon FM24CL04B-GTR, 8 pines, SOIC, 4 kB, 512M x 8 Bit, 550 ns, 3.65 V, 2.7 V
- Código RS:
- 181-8319
- Nº ref. fabric.:
- FM24CL04B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,32 € | 6,60 € |
| 50 - 120 | 1,216 € | 6,08 € |
| 125 - 245 | 1,184 € | 5,92 € |
| 250 - 495 | 1,176 € | 5,88 € |
| 500 + | 1,054 € | 5,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 181-8319
- Nº ref. fabric.:
- FM24CL04B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 550ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Longitud | 4.97mm | |
| Altura | 1.38mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 512M | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.65V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 550ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Longitud 4.97mm | ||
Altura 1.38mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 512M | ||
Tensión de alimentación máxima 3.65V | ||
4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Fast 2-wire Serial interface (I2C)
Up to 1-MHz frequency
Direct hardware replacement for serial (I2C) EEPROM
Supports legacy timings for 100 kHz and 400 kHz
Low power consumption
100 A active current at 100 kHz
3 A (typ) standby current
Voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.65 V
Industrial temperature: –40 C to +85 C
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
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