AEC-Q100 FRAM Infineon FM25L04B-GTR, 8 pines, SOIC, SPI, 4 kB, 512M x 8 bits, 20 ns, 3.6V, 2.7 V
- Código RS:
- 181-8325
- Nº ref. fabric.:
- FM25L04B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 181-8325
- Nº ref. fabric.:
- FM25L04B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 512M x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 20ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 20MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Altura | 1.38mm | |
| Anchura | 3.98mm | |
| Longitud | 4.97mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de palabras | 512M | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 512M x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 20ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 20MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Altura 1.38mm | ||
Anchura 3.98mm | ||
Longitud 4.97mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de palabras 512M | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 20 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Low power consumption
200 A active current at 1 MHz
3 A (typ) standby current
Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 C to +85 C
Packages
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package
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