AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25L16B-GTR, 8 pines, SOIC, SPI, 16kbit, 2K x 8 bit, 20ns, 2.7 V a 3.6 V
- Código RS:
- 184-0068
- Nº ref. fabric.:
- FM25L16B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 18/09/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,826 €
(exc. IVA)
2,209 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 - 45 | 1,826 € | 9,13 € |
| 50 - 120 | 1,524 € | 7,62 € |
| 125 - 245 | 1,366 € | 6,83 € |
| 250 - 495 | 1,298 € | 6,49 € |
| 500 + | 1,23 € | 6,15 € |
| *precio indicativo | ||
Producto Alternativo
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- Código RS
- 184-0046
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
1,425 €
(exc. IVA)
1,724 €
(inc.IVA)
- Código RS:
- 184-0068
- Nº ref. fabric.:
- FM25L16B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
16-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 2K x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention (See Data Retention and Endurance on page 12)
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 20 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Low power consumption
200 μA active current at 1 MHz
3 μA(typ) standby current
Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
Packages
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention (See Data Retention and Endurance on page 12)
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 20 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Low power consumption
200 μA active current at 1 MHz
3 μA(typ) standby current
Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
Packages
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 16kbit |
| Organización | 2K x 8 bit |
| Tipo de Interfaz | SPI |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 20ns |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Dimensiones | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Longitud | 4.97mm |
| Ancho | 3.98mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3.6 V |
| Altura | 1.48mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Palabras | 2K |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2.7 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
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