FRAM Infineon, 8 pines, SOIC-8, Serie I2C, 4 kB, 512 x 8 bits, 3.65V, 2.7 V
- Código RS:
- 273-7379
- Nº ref. fabric.:
- FM24CL04B-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7379
- Nº ref. fabric.:
- FM24CL04B-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Organización | 512 x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Encapsulado | SOIC-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.65V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Organización 512 x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie I2C | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Encapsulado SOIC-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación máxima 3.65V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 4 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, las sobrecargas y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de transmitir datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.
Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Interfaz serial rápida de 2 cables
Alta resistencia con 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
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