Nº ref. fabric.

AEC-Q100 FRAM Infineon FM24C64B-G, 8 pines, SOIC, I2C de 2 cables, 64 kB, 8K x 8 bits, 550 ns, 5.5V, 4.5 V

Código RS:: 125-4209
Nº ref. fabric.:: FM24C64B-G
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon FM24C64B-G, 8 pines, SOIC, I2C de 2 cables, 64 kB, 8K x 8 bits, 550 ns, 5.5V, 4.5 V

Descuento aplicable por cantidad

Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

8,76 €

(exc. IVA)

10,60 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Disponible

Disponible(s) 2 unidad(es) más para enviar a partir del 31 de agosto de 2026
Disponible(s) 1624 unidad(es) más para enviar a partir del 07 de septiembre de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 8	4,38 €	8,76 €
10 - 48	3,945 €	7,89 €
50 +	3,505 €	7,01 €

*precio indicativo

Código RS:: 125-4209
Nº ref. fabric.:: FM24C64B-G
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tamaño de la memoria	64kB
	Tipo de producto	FRAM
	Organización	8K x 8 bits
	Tipo de interfaz	I2C de 2 cables
	Ancho del bus de datos	8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	550ns
	Frecuencia del reloj máxima	1MHZ
	Tipo de montaje	Superficie
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Anchura	3.98mm
	Altura	1.38mm
	Longitud	4.97mm
	Certificaciones y estándares	No
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Número de palabras	8K
	Número de bits por palabra	8
	Tensión de alimentación mínima	4.5V
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tamaño de la memoria 64kB
	Tipo de producto FRAM
	Organización 8K x 8 bits
	Tipo de interfaz I2C de 2 cables
	Ancho del bus de datos 8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 550ns
	Frecuencia del reloj máxima 1MHZ
	Tipo de montaje Superficie
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Anchura 3.98mm
	Altura 1.38mm
	Longitud 4.97mm
	Certificaciones y estándares No
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Número de palabras 8K
	Número de bits por palabra 8
	Tensión de alimentación mínima 4.5V
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C

FM24C64B-G Datasheet

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.