Memoria FRAM Cypress Semiconductor CY15B104QN-50SXI, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 4Mbit, 512K x 8 bits, 450 (Minimum)μs,
- Código RS:
- 194-8810
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104QN-50SXI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
No disponible
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- Código RS:
- 194-8810
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104QN-50SXI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Cypress Semiconductor | |
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit | |
| Organización | 512K x 8 bits | |
| Tipo de Interfaz | Serie SPI | |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 450 (Minimum)µs | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOIC | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Dimensiones | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Número de Palabras | 512K | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 1,8 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Cypress Semiconductor | ||
Tamaño de la Memoria 4Mbit | ||
Organización 512K x 8 bits | ||
Tipo de Interfaz Serie SPI | ||
Ancho del Bus de Datos 8bit | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 450 (Minimum)µs | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOIC | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Dimensiones 5.33 x 5.33 x 1.78mm | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 3,6 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
Número de Palabras 512K | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 1,8 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Baja potencia, 4 Mbits no volatilemoria empleando un Advanced proceso ferroeléctrico. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por la memoria flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de autobús puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Capaz de soportar 1015 ciclos de lectura/escritura, o 1.000 millones de ciclos morewrite veces más que EEPROM. Ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o Rapid. Proporciona ventajas sustanciales a los usuarios de EEPROM serie o flash como sustitución directa de hardware. Utiliza el bus SPI de alta velocidad, que mejora la capacidad de escritura de alta velocidad de la tecnología F-RAM.