Memoria FRAM Infineon FM22LD16-55-BG, 48 pines, FBGA, Paralelo, 4Mbit, 256K x 16 bits, 55ns, 2,7 V a 3,6 V

Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil, lo que significa que los datos se conservan después de que se retira la alimentación. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina los problemas de fiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades del diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería (BBSRAM). El tiempo de escritura rápido y la alta resistencia de escritura hacen que la F-RAM sea superior a otros tipos de memoria. El funcionamiento del FM22LD16 es similar al de otros dispositivos RAM y, por tanto, se puede utilizar como sustitución directa de una SRAM estándar en un sistema. Los ciclos de lectura y escritura se pueden activar mediante CE o simplemente cambiando la dirección. La memoria F-RAM no es volátil debido a su exclusivo proceso de memoria ferroeléctrica. Estas características convierten al FM22LD16 en ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o Rapid. El FM22LD16 incluye un monitor de baja tensión que bloquea el acceso a la matriz de memoria cuando la VDD cae por debajo de VDD mín. La memoria está protegida contra un acceso accidental y daños en los datos en estas condiciones.