Nº ref. fabric.

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V05-GTR, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 512 kB, 64K x 8, 3.6V, 3 V

Código RS:: 273-5328
Nº ref. fabric.:: FM25V05-GTR
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V05-GTR, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 512 kB, 64K x 8, 3.6V, 3 V

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Código RS:: 273-5328
Nº ref. fabric.:: FM25V05-GTR
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tamaño de la memoria	512kB
	Tipo de producto	FRAM
	Organización	64K x 8
	Tipo de interfaz	Serie SPI
	Ancho del bus de datos	8bit
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Temperatura de funcionamiento máxima	125°C
	Tensión de alimentación mínima	3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	80°C
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Estándar de automoción	AEC-Q100

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tamaño de la memoria 512kB
	Tipo de producto FRAM
	Organización 64K x 8
	Tipo de interfaz Serie SPI
	Ancho del bus de datos 8bit
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Certificaciones y estándares RoHS
	Temperatura de funcionamiento máxima 125°C
	Tensión de alimentación mínima 3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 80°C
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Estándar de automoción AEC-Q100

Datasheet - FM25V05-GTR

La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 512 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.

Conformidad con RoHS

Funcionamiento de baja tensión

Bajo consumo de potencia

Interfaz periférica serie muy rápida

Esquema de protección de escritura sofisticado

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