Memoria FRAM Infineon FM25L04B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 4kbit, 512 x 8 bits, 2,7 V a 3,6 V

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Código RS:
828-2803
Nº ref. fabric.:
FM25L04B-G
Fabricante:
Cypress Semiconductor
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Marca

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

4kbit

Organización

512 x 8 bits

Tipo de Interfaz

SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

8

Dimensiones

4.978 x 3.987 x 1.478mm

Longitud

4.98mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3,6 V

Ancho

3.987mm

Altura

1.478mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Número de Palabras

512

Número de Bits de Palabra

8bit

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2,7 V

COO (País de Origen):
TH
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 512 x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
Frecuencia de hasta 20 MHz
Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
Sofisticado esquema de protección contra escritura
Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
Bajo consumo
200 μA de corriente activa a 1 MHz
Corriente en espera de 3 μA (típ)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquetes
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Encapsulado DFN (sin cables planos dobles delgados de 8 pines)