Alliance Memory Memoria flash NAND, eMMc ASFC64G31T5-51BIN 64000 MB, FBGA, 153 pines
- Código RS:
- 665-371
- Nº ref. fabric.:
- ASFC64G31T5-51BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 64000MB | |
| Tipo de interfaz | eMMc | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 153 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Tipo de célula | NAND | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 13mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC e·MMC 5.1 (JESD84-B51), RoHS | |
| Anchura | 11.5mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Corriente de suministro | 60μA | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Serie | ASFC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 64000MB | ||
Tipo de interfaz eMMc | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 153 | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Tipo de célula NAND | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 13mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC e·MMC 5.1 (JESD84-B51), RoHS | ||
Anchura 11.5mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Corriente de suministro 60μA | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Serie ASFC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El eMMC de 64 GB de Alliance Memory en un encapsulado FBGA de 153 bolas es un dispositivo de almacenamiento no volátil gestionado que consta de un controlador MMC integrado y memoria flash NAND dentro de un encapsulado BGA estándar definido por JEDEC. Está diseñado específicamente como una solución de memoria compacta para almacenamiento de datos y medios de arranque. Optimizado para operaciones predominantemente de lectura con bajo consumo de potencia, utiliza la tecnología 3D TLC NAND y ofrece una configuración de modo mejorado (pSLC) opcional para satisfacer las demandas de rendimiento industrial más altas. El dispositivo también admite especificaciones de grado de temperatura industrial
Tecnología base 3D TLC NAND
Modo de funcionamiento de arranque y modo de funcionamiento de arranque alternativo
Bloque de memoria protegido de reproducción (RPMB)
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