Alliance Memory Memoria flash NAND, eMMc ASFC128G32T5-51BIN 128000 MB, FBGA, 153 pines
- Código RS:
- 665-372
- Nº ref. fabric.:
- ASFC128G32T5-51BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 128000MB | |
| Tipo de interfaz | eMMc | |
| Encapsulado | FBGA | |
| Número de pines | 153 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Tipo de célula | NAND | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 13mm | |
| Anchura | 11.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC e·MMC 5.1 (JESD84-B51) | |
| Serie | ASFC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de suministro | 60μA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 128000MB | ||
Tipo de interfaz eMMc | ||
Encapsulado FBGA | ||
Número de pines 153 | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Tipo de célula NAND | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 13mm | ||
Anchura 11.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC e·MMC 5.1 (JESD84-B51) | ||
Serie ASFC | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de suministro 60μA | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El eMMC de 128 GB de Alliance Memory en un encapsulado FBGA de 153 bolas es un dispositivo de almacenamiento no volátil gestionado que consta de un controlador MMC integrado y memoria flash NAND dentro de un encapsulado BGA estándar definido por JEDEC. Está diseñado específicamente como una solución de memoria compacta para almacenamiento de datos y medios de arranque. Optimizado para operaciones predominantemente de lectura con bajo consumo de potencia, utiliza la tecnología 3D TLC NAND y ofrece una configuración de modo mejorado (pSLC) opcional para satisfacer las demandas de rendimiento industrial más altas. El dispositivo también admite especificaciones de grado de temperatura industrial
Tecnología base 3D TLC NAND
Modo de funcionamiento de arranque y modo de funcionamiento de arranque alternativo
Bloque de memoria protegido de reproducción (RPMB)
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