Nº ref. fabric.

Infineon Memoria flash NI, CFI, Paralelo S29GL512S11TFI020 512 MB, 32M x 16 bits, 110 ns, TSOP, 56 pines

Código RS:: 125-5907
Nº ref. fabric.:: S29GL512S11TFI020
Fabricante:: Infineon

Infineon Memoria flash NI, CFI, Paralelo S29GL512S11TFI020 512 MB, 32M x 16 bits, 110 ns, TSOP, 56 pines

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Nº ref. fabric.:: S29GL512S11TFI020
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tamaño de la memoria	512MB
	Tipo de interfaz	CFI, Paralelo
	Encapsulado	TSOP
	Número de pines	56
	Organización	32M x 16 bits
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de célula	NI
	Tensión de alimentación mínima	2.7V
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Anchura	14.1mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	1.05mm
	Longitud	18.5mm
	Serie	S29GL512
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	110ns
	Número de bits por palabra	16
	Número de palabras	32M

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Memoria flash
	Tamaño de la memoria 512MB
	Tipo de interfaz CFI, Paralelo
	Encapsulado TSOP
	Número de pines 56
	Organización 32M x 16 bits
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de célula NI
	Tensión de alimentación mínima 2.7V
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Anchura 14.1mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 1.05mm
	Longitud 18.5mm
	Serie S29GL512
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 110ns
	Número de bits por palabra 16
	Número de palabras 32M

Memoria Flash NOR paralela, Cypress Semiconductor

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El IC de memoria FLASH es una RAM no volátil que debe escribirse/borrarse en bloques. Tiene una vida útil limitada en términos de número de ciclos de escritura y suele utilizarse para el almacenamiento de programas que se cambia con poca frecuencia.

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