Infineon Memoria flash NI, CFI 256 MB, 32M x 8 bits, 110 ns, BGA, 64 pines
- Código RS:
- 193-8866
- Nº ref. fabric.:
- S29GL256P11FFIV20
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 193-8866
- Nº ref. fabric.:
- S29GL256P11FFIV20
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 256MB | |
| Tipo de interfaz | CFI | |
| Encapsulado | BGA | |
| Número de pines | 64 | |
| Organización | 32M x 8 bits | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tipo de temporización | Asíncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 13mm | |
| Anchura | 11mm | |
| Altura | 1mm | |
| Corriente de suministro | 110mA | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 32M | |
| Estándar de automoción | No | |
| Serie | S29GL256P | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 110ns | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 256MB | ||
Tipo de interfaz CFI | ||
Encapsulado BGA | ||
Número de pines 64 | ||
Organización 32M x 8 bits | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tipo de temporización Asíncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 13mm | ||
Anchura 11mm | ||
Altura 1mm | ||
Corriente de suministro 110mA | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 32M | ||
Estándar de automoción No | ||
Serie S29GL256P | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 110ns | ||
Los Cypress S29GL01G/512/256/128P son productos Mirrorbit® Flash fabricados con tecnología de proceso de 90 nm. Estos dispositivos ofrecen un rápido tiempo de acceso a la página de 25 ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90 ns. Disponen de un búfer de escritura que permite programar un máximo de 32 palabras/64 bytes en una operación, lo que da como resultado un tiempo de programación más faster eficaz que los algoritmos de programación estándar. Esto hace que estos dispositivos sean ideales para las aplicaciones integradas actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.
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