Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39LF040-55-4C-NHE 4 MB, 512K x 8 bits, 55 ns, PLCC, 32 pines
- Código RS:
- 145-9101
- Nº ref. fabric.:
- SST39LF040-55-4C-NHE
- Fabricante:
- Microchip
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 145-9101
- Nº ref. fabric.:
- SST39LF040-55-4C-NHE
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Tamaño de la memoria | 4 MB | |
| Organización | 512K x 8 bits | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 55 ns | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Número de pines | 32 | |
| Altura | 2.79 mm | |
| Longitud | 13.97 mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 512K | |
| Serie | SST39 | |
| Anchura | 11.43 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Tamaño de la memoria 4 MB | ||
Organización 512K x 8 bits | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 55 ns | ||
Encapsulado PLCC | ||
Número de pines 32 | ||
Altura 2.79 mm | ||
Longitud 13.97 mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 512K | ||
Serie SST39 | ||
Anchura 11.43 mm | ||
- COO (País de Origen):
- PH
SST39LF010/020/040 Parallel SuperFlash® Memory
The SST39LF010A/020A/040 family of devices from Microchip are Parallel multi-purpose SuperFlash® Memory ICs.
Features
3.0-3.6V Read and Write Operations
Endurance – 100,000 cycles (typical)
Low Power Consumption - Active Current 5 mA, Standby Current 1 μA (typical values at 14 MHz)
Sector-Erase Capability – Uniform 4 Kbyte sectors
Read Access Time – 55 ns
Sector-Erase Time 18 MS
Chip-Erase Time: 70 MS (typical)
Byte-Program Time – 14 μs (typical)
Chip Rewrite Time – SST39LF010 2 seconds, SST39SF020 4 seconds, SST39SF040 8 seconds (typical values)
Latched Address and Data
Automatic Write Timing – Internal VPP Generation
End-of-Write Detection – Toggle Bit – Data# Polling
CMOS I/O Compatibility
JEDEC Standard– Flash EEPROM Pinouts and Command Sets
Flash Memory, Microchip
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