Infineon Memoria flash NI, SPI, CFI S25FS128SAGMFI100 128 MB, 16M x 8 bits, SOIC, 8 pines

Código RS:: 184-0053
Nº ref. fabric.:: S25FS128SAGMFI100
Fabricante:: Infineon

Infineon Memoria flash NI, SPI, CFI S25FS128SAGMFI100 128 MB, 16M x 8 bits, SOIC, 8 pines

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Código RS:: 184-0053
Nº ref. fabric.:: S25FS128SAGMFI100
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tipo de célula	NI
	Tipo de interfaz	SPI, CFI
	Tamaño de la memoria	128 MB
	Organización	16M x 8 bits
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Altura	1.9 mm
	Longitud	5.28 mm
	Temperatura de funcionamiento máxima	85 °C
	Tensión de alimentación máxima	2 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
	Tensión de alimentación mínima	1.7 V
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de bits por palabra	8
	Número de palabras	16M
	Serie	S25Fl128
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	5.28 mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Memoria flash
	Tipo de célula NI
	Tipo de interfaz SPI, CFI
	Tamaño de la memoria 128 MB
	Organización 16M x 8 bits
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Altura 1.9 mm
	Longitud 5.28 mm
	Temperatura de funcionamiento máxima 85 °C
	Tensión de alimentación máxima 2 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
	Tensión de alimentación mínima 1.7 V
	Tipo de montaje Superficie
	Número de bits por palabra 8
	Número de palabras 16M
	Serie S25Fl128
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 5.28 mm

Datasheet S25FS128SAGMFI100

COO (País de Origen):: US

Density

S25FS128S-128 Mbits (16 MB)

S25FS256S-256 Mbits (32 MB)

Serial Peripheral Interface (SPI)

SPI Clock polarity and phase modes 0 and 3

Double Data Rate (DDR) option

Extended Addressing: 24- or 32-bit address options

Serial Command subset and footprint compatible with S25FL-A, S25FL-K, S25FL-P, and S25FL-S SPI families

Multi I/O Command subset and footprint compatible with S25FL-P, and S25FL-S SPI families

Commands: Normal, Fast, Dual I/O, Quad I/O, DDR Quad

Modes: Burst Wrap, Continuous (XIP), QPI

Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP) and Common Flash Interface (CFI), for configuration information

Program

256- or 512-byte Page Programming buffer

Program suspend and resume

Automatic ECC internal hardware Error Correction Code generation with single-bit error correction

Erase

Hybrid sector options

Physical set of eight 4-KB sectors and one 32-KB sector at the TOP or bottom of address space with all remaining sectors of 64 KB or

Physical set of eight 4-KB sectors and one 224-KB sector at the TOP or bottom of address space with all remaining sectors of 256 KB

Uniform sector options

Uniform 64-KB or 256-KB blocks for software

compatibility with higher density and future devices

Erase suspend and resume

Erase status evaluation

100,000 Program-Erase Cycles, minimum

20 Year Data Retention, minimum

Security Features

One-Time Program (OTP) array of 1024 bytes

Block Protection:

Status Register bits to control protection against

program or erase of a contiguous range of sectors

Hardware and software control options

Advanced Sector Protection (ASP)

Individual sector protection controlled by boot code or password

Option for password control of read access

Technology

Cypress 65 nm MirrorBit® Technology with Eclipse™

Architecture

Supply Voltage

1.7V to 2.0V

Packages (All Pb-Free)

8-lead SOIC 208 mil (SOC008) — FS128S only

WSON 6 x 5 mm (WND008) — FS128S only

WSON 6 x 8 mm (WNH008)

16-lead SOIC 300 mil (SO3016 — FS256S only)

BGA-24 6 x 8 mm

5 x 5 ball (FAB024) footprint

4 x 6 ball (FAC024) footprint

Known Good Die, and Known Tested Die

Infineon Memoria flash NI, SPI, CFI S25FS128SAGMFI100 128 MB, 16M x 8 bits, SOIC, 8 pines

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