Microchip Memoria flash Doble puerta, SPI SST25VF010A-33-4I-SAE-T 1 MB, SOIC, 8 pines
- Código RS:
- 264-8826
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF010A-33-4I-SAE-T
- Fabricante:
- Microchip
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*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8826
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF010A-33-4I-SAE-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tamaño de la memoria | 1MB | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 80MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Longitud | 6mm | |
| Corriente de suministro | 10mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Serie | SST25VF | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tamaño de la memoria 1MB | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 80MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Longitud 6mm | ||
Corriente de suministro 10mA | ||
Estándar de automoción No | ||
Serie SST25VF | ||
La memoria flash serie de Microchip dispone de una interfaz de cuatro cables compatible con SPI que permite un encapsulado de bajo número de contactos que ocupa menos espacio en la placa y, en última instancia, reduce los costes totales del sistema. Esta memoria flash serie SPI está fabricada con tecnología de flash CMOS Super de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos.
Arquitectura de interfaz serie: compatible con SPI: modo 0 y modo 3
Protección de escritura mediante bits de protección de bloque en el registro de estado
Bajo consumo de potencia
Capacidad de borrado flexible: sectores uniformes de 4 Kbytes; bloques de superposición uniformes de 32 Kbytes
Detección de final de escritura: estado de software
Los dispositivos sin plomo (sin plomo) son conformes con RoHS
Rango de temperaturas industriales de -40 °C a +85 °C
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