Microchip Memoria flash Doble puerta, SPI 2 MB, SOIC, 8 pines
- Código RS:
- 264-8827
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF020B-80-4I-SAE-T
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 264-8827
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF020B-80-4I-SAE-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 2MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 80MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Anchura | 5mm | |
| Corriente de suministro | 10mA | |
| Serie | SST25VF | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 2MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 80MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Anchura 5mm | ||
Corriente de suministro 10mA | ||
Serie SST25VF | ||
Estándar de automoción No | ||
La memoria flash serie de Microchip dispone de una interfaz de cuatro cables compatible con SPI que permite un encapsulado de bajo número de contactos que ocupa menos espacio en la placa y, en última instancia, reduce los costes totales del sistema. Esta memoria se mejora con una mayor frecuencia de funcionamiento e incluso un menor consumo de potencia. Esta memoria flash serie SPI está fabricada con tecnología de flash CMOS Super de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. El dispositivo SST25VF020B mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Arquitectura de interfaz serie: compatible con SPI: modo 0 y modo 3
Fiabilidad y durabilidad superiores: 100.000 ciclos (típico) - retención de datos superior a 100 años
Bajo consumo de potencia:– corriente de lectura activa: 10 mA (típica)– corriente en espera: 5 μA (típica)
Todos los dispositivos sin plomo (sin plomo) son conformes con RoHS
Rango de temperaturas industriales de -40 °C a +85 °C
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