Microchip Memoria flash Doble puerta, SPI SST25VF040B-50-4I-SAF-T 4 MB, SOIC, 8 pines
- Código RS:
- 264-8831
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF040B-50-4I-SAF-T
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 264-8831
- Nº ref. fabric.:
- SST25VF040B-50-4I-SAF-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 4MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Longitud | 6mm | |
| Corriente de suministro | 15mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Serie | SST25VF | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 4MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Longitud 6mm | ||
Corriente de suministro 15mA | ||
Estándar de automoción No | ||
Serie SST25VF | ||
La memoria flash serie de Microchip dispone de una interfaz de cuatro cables compatible con SPI que permite un encapsulado de bajo número de contactos que ocupa menos espacio en la placa y, en última instancia, reduce los costes totales del sistema. El dispositivo SST25VF040B se ha mejorado con una frecuencia de funcionamiento mejorada para un menor consumo de potencia. Esta memoria flash serie SPI está fabricada con tecnología de flash CMOS Super de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. Este dispositivo mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Compatible con SPI: modo 0 y modo 3
Compatible con reloj SPI de 50 MHz
Corriente de lectura activa: 10 mA (típica)
Corriente de borrado y programa: 30 mA (máx.)
Corriente en espera: 5 μA (típica)
Tiempo de borrado del chip: 35 ms (típico)
Tiempo de borrado de sector/bloque: 18 ms (típico)
Tiempo de programa de bytes: 7 μs (típico)
Conforme con RoHS
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