Nº ref. fabric.

Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF040-70-4C-WHE 4 MB, 512K x 8 bits, TSOP, 32 pines

Código RS:: 264-8849
Nº ref. fabric.:: SST39SF040-70-4C-WHE
Fabricante:: Microchip

Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF040-70-4C-WHE 4 MB, 512K x 8 bits, TSOP, 32 pines

Disponibilidad de stock no accesible

Código RS:: 264-8849
Nº ref. fabric.:: SST39SF040-70-4C-WHE
Fabricante:: Microchip

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Microchip
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tamaño de la memoria	4MB
	Tipo de interfaz	Paralelo
	Encapsulado	TSOP
	Número de pines	32
	Organización	512K x 8 bits
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de célula	Doble puerta
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Tensión de alimentación mínima	4.5V
	Tipo de temporización	Asíncrono
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	0°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	70°C
	Certificaciones y estándares	RoHS, JEDEC
	Serie	SST39SF
	Número de bits por palabra	8
	Estándar de automoción	No
	Corriente de suministro	25mA

	Seleccionar todo
	Marca Microchip
	Tipo de producto Memoria flash
	Tamaño de la memoria 4MB
	Tipo de interfaz Paralelo
	Encapsulado TSOP
	Número de pines 32
	Organización 512K x 8 bits
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de célula Doble puerta
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Tensión de alimentación mínima 4.5V
	Tipo de temporización Asíncrono
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 70°C
	Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC
	Serie SST39SF
	Número de bits por palabra 8
	Estándar de automoción No
	Corriente de suministro 25mA

Datasheet - SST39SF040-70-4C-WHE

El flash multipropósito Microchip CMOS (MPF) fabricado con tecnología de flash CMOS Super de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. El SST39SF040 escribe (programar o borrar) con una fuente de alimentación de 4,5-5,5 V y se ajusta a los contactos estándar JEDEC para memorias x8.

Fiabilidad superior: durabilidad de 100.000 ciclos (típica)

Retención de datos superior a 100 años

Compatibilidad de E/S TTL

Bajo consumo de potencia

Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes

Conforme con RoHS

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