Infineon AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Flash SPI Multi-E/S NI, SPI S25FL127SABMFI103 128 MB, 16MB, WSON, 8 pines
- Código RS:
- 273-5369
- Nº ref. fabric.:
- S25FL127SABMFI103
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 273-5369
- Nº ref. fabric.:
- S25FL127SABMFI103
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 128MB | |
| Tipo de producto | Flash SPI Multi-E/S | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | WSON | |
| Número de pines | 8 | |
| Organización | 16MB | |
| Frecuencia del reloj máxima | 108MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 105°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente de suministro | 50mA | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 | |
| Serie | S25FL127S | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 128MB | ||
Tipo de producto Flash SPI Multi-E/S | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado WSON | ||
Número de pines 8 | ||
Organización 16MB | ||
Frecuencia del reloj máxima 108MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 105°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente de suministro 50mA | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 | ||
Serie S25FL127S | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La memoria Flash Infineon ofrece una alta densidad junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en lugar. Al utilizar dispositivos FL S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comando QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.
Protección de sector avanzada
Mínimo de 20 años de retención de datos
Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil
Opciones de control de hardware y software
Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas
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