Infineon AEC-Q100 Grados 2 y 3 Memoria flash NI, SPI S25FL127SABMFI100 128 MB, SOIC, 8 pines

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Código RS:
273-7480
Nº ref. fabric.:
S25FL127SABMFI100
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

128MB

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

SPI

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

108MHZ

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

105°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q100 Grados 2 y 3

Serie

S25FL127S

Corriente de suministro

50mA

La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones móviles o integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en lugar. Al utilizar dispositivos FL-S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comando QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.

Núcleo CMOS de 3,0 V

Mínimo de 20 años de retención de datos

Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas

Opciones de control de hardware y software

Polaridad de reloj SPI y modos de fase 0 y 3

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