Microcontrolador Microchip PIC12F1572-E/P, núcleo PIC de 8bit, RAM 256 B, 32MHZ, PDIP de 8 pines

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
177-0495
Nº ref. fabric.:
PIC12F1572-E/P
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Nombre de la Familia

PIC12F

Tipo de Encapsulado

PDIP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

8

Núcleo del Dispositivo

PIC

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tamaño de la Memoria del Programa

2.000 palabras

Frecuencia Máxima

32MHZ

Tamaño RAM

256 B

Canales USB

0

Número de Unidades PWM

1 x 16 bit

Número de Canales SPI

0

Número de Canales CAN

0

Número de Canales I2C

0

Number of USART Channels

0

Número de Canales UART

0

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica

2,3 → 5,5 V

Dimensiones

0.4 x 0.28 x 0.19plg

Altura

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Modulación de Ancho de Pulso

1 (3 x 16 bits)

Longitud

10.16mm

Número de Canales de Ethernet

0

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+125 °C

Número de Canales PCI

0

Number of LIN Channels

0

Tipo de Memoria del Programa

Flash

Ancho

7.11mm

Número de Unidades ADC

1

Número Máximo de Canales Ethernet

0

Arquitectura del Conjunto de Instrucciones

RISC

Convertidores Analógico-Digital

4 x 10 bits

Los microcontroladores PIC12(L)F157X combinan las capacidades de PWM de 16 bits y analógicas para adaptarse a diversas aplicaciones. Estos dispositivos proporcionan tres PWM de 16 bits con temporizadores independientes para aplicaciones que requieren una alta resolución, como iluminación LED, motores paso a paso, fuentes de alimentación y otras aplicaciones de uso general.

Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila
Memoria de programa Flash con capacidad de lectura/escritura automática
128 B de almacenamiento de datos no volátil
Velocidades de reloj interno de 31 kHz a 32 MHz
3 PWM de 16 bits independientes
Generador de formas de onda complementarias (CWG)
Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila
Memoria de programa Flash con capacidad de lectura/escritura automática
Memoria flash de alta resistencia (HEF)
128 B de almacenamiento de datos no volátil
Velocidades de reloj interno de 31 kHz a 32 MHz
3 PWM de 16 bits independientes
Generador de formas de onda complementarias (CWG)

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