Microcontrolador Microchip PIC12F1572-E/P, núcleo PIC de 8bit, RAM 256 B, 32MHZ, PDIP de 8 pines

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Código RS:
177-0856
Nº ref. fabric.:
PIC12F1572-E/P
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Nombre de la Familia

PIC12F

Tipo de Encapsulado

PDIP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

8

Núcleo del Dispositivo

PIC

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tamaño de la Memoria del Programa

2.000 palabras

Frecuencia Máxima

32MHZ

Tamaño RAM

256 B

Canales USB

0

Número de Unidades PWM

1 x 16 bit

Número de Canales SPI

0

Número de Canales UART

0

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica

2,3 → 5,5 V

Número de Canales I2C

0

Número de Canales CAN

0

Number of USART Channels

0

Número de Unidades ADC

1

Arquitectura del Conjunto de Instrucciones

RISC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Número Máximo de Canales Ethernet

0

Ancho

7.11mm

Altura

4.83mm

Number of LIN Channels

0

Convertidores Analógico-Digital

4 x 10 bits

Dimensiones

0.4 x 0.28 x 0.19plg

Longitud

10.16mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+125 °C

Número de Canales de Ethernet

0

Modulación de Ancho de Pulso

1 (3 x 16 bits)

Tipo de Memoria del Programa

Flash

Número de Canales PCI

0

COO (País de Origen):
TH
Los microcontroladores PIC12(L)F157X combinan las capacidades de PWM de 16 bits y analógicas para adaptarse a diversas aplicaciones. Estos dispositivos proporcionan tres PWM de 16 bits con temporizadores independientes para aplicaciones que requieren una alta resolución, como iluminación LED, motores paso a paso, fuentes de alimentación y otras aplicaciones de uso general.

Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila
Memoria de programa Flash con capacidad de lectura/escritura automática
128 B de almacenamiento de datos no volátil
Velocidades de reloj interno de 31 kHz a 32 MHz
3 PWM de 16 bits independientes
Generador de formas de onda complementarias (CWG)
Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila
Memoria de programa Flash con capacidad de lectura/escritura automática
Memoria flash de alta resistencia (HEF)
128 B de almacenamiento de datos no volátil
Velocidades de reloj interno de 31 kHz a 32 MHz
3 PWM de 16 bits independientes
Generador de formas de onda complementarias (CWG)

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