Microcontrolador Microchip PIC12LF1572-I/MF, núcleo PIC de 8bit, RAM 256 B, 32MHZ, DFN de 8 pines

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Código RS:
177-0503
Nº ref. fabric.:
PIC12LF1572-I/MF
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Nombre de la Familia

PIC12LF

Tipo de Encapsulado

DFN

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Núcleo del Dispositivo

PIC

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tamaño de la Memoria del Programa

2.000 palabras

Frecuencia Máxima

32MHZ

Tamaño RAM

256 B

Canales USB

0

Número de Unidades PWM

1 x 16 bit

Número de Canales SPI

0

Número de Canales CAN

0

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica

1,8 → 3,6 V

Number of USART Channels

0

Número de Canales I2C

0

Número de Canales UART

0

Ancho

3mm

Tipo de Memoria del Programa

Flash

Número Máximo de Canales Ethernet

0

Dimensiones

3 x 3 x 0.95mm

Arquitectura del Conjunto de Instrucciones

RISC

Modulación de Ancho de Pulso

1 (3 x 16 bits)

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Longitud

3mm

Convertidores Analógico-Digital

4 x 10 bits

Altura

0.95mm

Número de Canales de Ethernet

0

Number of LIN Channels

0

Número de Unidades ADC

1

Número de Canales PCI

0

COO (País de Origen):
US
Los microcontroladores PIC12(L)F157X combinan las capacidades de PWM de 16 bits y analógicas para adaptarse a diversas aplicaciones. Estos dispositivos proporcionan tres PWM de 16 bits con temporizadores independientes para aplicaciones que requieren una alta resolución, como iluminación LED, motores paso a paso, fuentes de alimentación y otras aplicaciones de uso general.

Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila
Memoria de programa Flash con capacidad de lectura/escritura automática
128 B de almacenamiento de datos no volátil
Velocidades de reloj interno de 31 kHz a 32 MHz
3 PWM de 16 bits independientes
Generador de formas de onda complementarias (CWG)
Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila
Memoria de programa Flash con capacidad de lectura/escritura automática
Memoria flash de alta resistencia (HEF)
128 B de almacenamiento de datos no volátil
Velocidades de reloj interno de 31 kHz a 32 MHz
3 PWM de 16 bits independientes
Generador de formas de onda complementarias (CWG)
ADC de 10 bits y 4 canales con referencia de tensión

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