MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF3NK80Z, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 151-431
- Nº ref. fabric.:
- STF3NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
70,20 €
(exc. IVA)
84,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1350 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,404 € | 70,20 € |
| 250 - 450 | 1,31 € | 65,50 € |
| 500 + | 1,123 € | 56,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-431
- Nº ref. fabric.:
- STF3NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | SuperMESH | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Serie SuperMESH | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, lograda mediante la optimización de un diseño Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% avalancha probada
Carga de puerta minimizada
Muy baja capacitancia intrínseca
Protegido Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines