MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF3NK80Z, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 151-431
- Nº ref. fabric.:
- STF3NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,44 € | 22,00 € |
| 500 - 950 | 0,418 € | 20,90 € |
| 1000 + | 0,387 € | 19,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-431
- Nº ref. fabric.:
- STF3NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, lograda mediante la optimización de un diseño Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% avalancha probada
Carga de puerta minimizada
Muy baja capacitancia intrínseca
Protegido Zener
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