MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP20NK50Z, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 151-441
- Nº ref. fabric.:
- STP20NK50Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 2,70 € | 135,00 € |
| 500 + | 2,565 € | 128,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-441
- Nº ref. fabric.:
- STP20NK50Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.27Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 119nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.27Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 119nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, lograda mediante la optimización de un diseño Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% a prueba de avalanchas
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
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