MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW15NK50Z, VDSS 500 V, ID 14 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 151-456
- Nº ref. fabric.:
- STW15NK50Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 3,336 € | 100,08 € |
| 150 - 270 | 3,179 € | 95,37 € |
| 300 + | 2,749 € | 82,47 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-456
- Nº ref. fabric.:
- STW15NK50Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.34Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 50°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.75mm | |
| Altura | 5.15mm | |
| Longitud | 34.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.34Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 50°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.75mm | ||
Altura 5.15mm | ||
Longitud 34.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, lograda mediante la optimización de un diseño Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% avalancha probada
Carga de puerta minimizada
Muy baja capacitancia intrínseca
Muy buena repetibilidad de fabricación
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