MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD5NK50ZT4, VDSS 500 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-461P
- Nº ref. fabric.:
- STD5NK50ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 200 - 480 | 0,619 € |
| 500 - 980 | 0,573 € |
| 1000 - 1980 | 0,528 € |
| 2000 + | 0,508 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-461P
- Nº ref. fabric.:
- STD5NK50ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Anchura | 6.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Anchura 6.6 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protección Zener