MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD2NK100Z, VDSS 1000 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-902P
- Nº ref. fabric.:
- STD2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*
134,60 €
(exc. IVA)
162,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1870 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 100 - 490 | 1,346 € |
| 500 - 990 | 1,088 € |
| 1000 - 2490 | 1,05 € |
| 2500 + | 0,914 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-902P
- Nº ref. fabric.:
- STD2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1000V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 159°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1000V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 159°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protegido por Zener
Enlaces relacionados
- Relé de seguridad Pilz PNOZ X PNOZ X2.8P de 1 para Bloqueo/interruptor de seguridad, 24 → 240V
- Detector de posición SMC D-A93 IP67
- Walkie Talkies Motorola RMP0166BHLAA 446MHZ
- Tubo fluorescente Sylvania Blanco Frío T8 1.350 lm, long. 600mm
- Pila 9V Alcalina 600mAh, terminal
- Pilas D de alcalina 1.5V terminal tipo
- Relé de seguridad Rockwell Automation Minotaur MSR127T de 2 canales 24V ac/dc, cat. seg. ISO
- Carril DIN Perforado de Acero RS PRO rail simétrico
