MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD35P6LLF6, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-912P
- Nº ref. fabric.:
- STD35P6LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 151-912P
- Nº ref. fabric.:
- STD35P6LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STripFET F6 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal P de STMicroelectronics, desarrollado utilizando la tecnología STripFET F6, con una nueva estructura de puerta de trinchera. El MOSFET de potencia resultante presenta un RDS(on) muy bajo en todos los encapsulados.
Resistencia encendida muy baja
Carga de puerta muy baja
Alta robustez ante avalanchas
Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja