MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN1NK60Z, VDSS 600 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 151-928P
- Nº ref. fabric.:
- STN1NK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 500 - 980 | 0,285 € |
| 1000 - 1980 | 0,262 € |
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- Código RS:
- 151-928P
- Nº ref. fabric.:
- STN1NK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición Power MESH basada en tira bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta minimizada
Capacidad SD mejorada
Protección Zener