MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SH63N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 53 A, Mejora, ACEPACK SMIT de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal 10 unidades (suministrado en una tira continua)*

214,00 €

(exc. IVA)

258,90 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 19 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
10 - 9921,40 €
100 +19,73 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
152-113P
Nº ref. fabric.:
SH63N65DM6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

53A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

ACEPACK SMIT

Serie

MDmesh DM6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

64mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión directa Vf

1.55V

Disipación de potencia máxima Pd

424W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

AQG 324

Estándar de automoción

AEC

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo STMicroelectronics combina dos MOSFET en una topología de medio puente. El ACEPACK SMIT es un módulo de alimentación muy compacto y robusto en un encapsulado de montaje en superficie para facilitar el montaje. Gracias al sustrato DBC, el encapsulado ACEPACK SMIT ofrece una baja resistencia térmica junto con una almohadilla térmica aislada del lado superior. La alta flexibilidad de diseño del encapsulado permite varias configuraciones, incluidas patas de fase, impulso e interruptor único a través de diferentes combinaciones de los interruptores de alimentación internos.

AQG 324 cualificados

Módulo de alimentación de medio puente

Tensión de bloqueo de 650 V

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Energías de conmutación muy bajas

Inductancia de encapsulado baja

Recently viewed