MOSFET IXYS IXFH120N20P, VDSS 200 V, ID 120 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 193-458P
Nº ref. fabric.:: IXFH120N20P
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH120N20P, VDSS 200 V, ID 120 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

16 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un tubo)

12,39 €

(exc. IVA)

14,99 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
5 - 19	12,39 €
20 - 49	11,73 €
50 - 99	9,02 €
100 +	8,63 €

Código RS:: 193-458P
Nº ref. fabric.:: IXFH120N20P
Fabricante:: IXYS

IXFH120N20P_Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	22 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	714000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	152 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	16.26mm
Ancho	5.3mm
Material del transistor	Si
Altura	21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFH120N20P, VDSS 200 V, ID 120 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™