MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 115 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
193-616P
Nº ref. fabric.:
IXFN140N20P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

115A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

240nC

Disipación de potencia máxima Pd

680W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Anchura

25.42mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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