MOSFET IXYS, Tipo N-Canal IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 194-259P
- Nº ref. fabric.:
- IXFN180N15P
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 5 unidades (suministrado en tubo)*
86,70 €
(exc. IVA)
104,90 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 5 - 19 | 17,34 € |
| 20 - 49 | 15,35 € |
| 50 - 99 | 14,71 € |
| 100 + | 14,09 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 194-259P
- Nº ref. fabric.:
- IXFN180N15P
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Montaje en Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 680W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 240nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.6mm | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Anchura | 25.42 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Montaje en Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 680W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 240nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.6mm | ||
Longitud 38.23mm | ||
Anchura 25.42 mm | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM PolarTM
MOSFET de potencia de canal N con diodo intrínseco rápido (HiPerFETTM) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET IXYS IXFN180N15P ID 150 A config. Simple
- MOSFET IXYS IXFN132N50P3 ID 112 A , config. Simple
- MOSFET IXYS IXFN132N50P3 ID 112 A config. Simple
- MOSFET IXYS IXFN44N100Q3 ID 38 A , config. Simple
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 850 V Mejora, SOT-227 de 4 pines