MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR90-40YSNX, VDSS 40 V, ID 320 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-300
Nº ref. fabric.:
PSMNR90-40YSNX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

320A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.97mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Disipación de potencia máxima Pd

268W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El ASFET de canal N de Nexperia está optimizado para aplicaciones de sistemas de batería, ofreciendo un bajo RDS(on) y una fuerte capacidad SOA para minimizar las pérdidas de conducción I2R. Proporciona una alta eficiencia, una generación de calor reducida y un manejo de corriente de entrada superior durante condiciones de transitorios y fallos. Las aplicaciones clave incluyen sistemas de gestión de baterías, eFuse, conmutación de carga, control de motor BLDC, fuentes de alimentación de alto rendimiento y rectificación síncrona.

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