MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN6R1-25MLDX, VDSS 25 V, ID 60 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-309
Nº ref. fabric.:
PSMN6R1-25MLDX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Calificación a 175 °C

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