MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-30YLE,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-317
- Nº ref. fabric.:
- PSMN2R0-30YLE,115
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
1,84 €
(exc. IVA)
2,23 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 1494 Envío desde el 10 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,84 € |
| 10 - 99 | 1,66 € |
| 100 - 499 | 1,52 € |
| 500 - 999 | 1,40 € |
| 1000 + | 1,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-317
- Nº ref. fabric.:
- PSMN2R0-30YLE,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | PSM | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 238W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie PSM | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 238W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está alojado en un encapsulado LFPAK y está calificado para 175 °C. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones industriales, de comunicaciones y domésticas. Los usos principales incluyen fusible electrónico, intercambio en caliente, interruptor de carga y arranque suave.
Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal
Rdson muy bajo para pérdidas de conducción reducidas
Enlaces relacionados
- MOSFET115 ID 100 A LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET115 ID 100 A SOT-669 de 4 pines
- MOSFET115 ID 91 A SOT-669 de 4 pines