MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-30YLE,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-317
Nº ref. fabric.:
PSMN2R0-30YLE,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

238W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está alojado en un encapsulado LFPAK y está calificado para 175 °C. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones industriales, de comunicaciones y domésticas. Los usos principales incluyen fusible electrónico, intercambio en caliente, interruptor de carga y arranque suave.

Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal

Rdson muy bajo para pérdidas de conducción reducidas

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