MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR58-30YLHX, VDSS 30 V, ID 380 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-328
Nº ref. fabric.:
PSMNR58-30YLHX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

380A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.67mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está optimizado para RDSon bajo, baja fuga IDSS incluso a altas temperaturas, alta eficiencia y manejo de alta corriente. Es ideal para interruptores de carga dc y aplicaciones de intercambio en caliente. Los usos principales incluyen intercambio en caliente, fusibles electrónicos, alimentación OR-ing, conmutación dc/carga, protección de batería y control de motor cepillado/BLDC.

Pinza de cobre para baja inductancia parásita y resistencia

Encapsulado LFPAK de alta fiabilidad

Calificación a 175 °C

Capaz de soldadura por onda

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