MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40YSHX, VDSS 40 V, ID 290 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-337
Nº ref. fabric.:
PSMN1R0-40YSHX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

290A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NextPower-S3 Schottky-Plus technology

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de tecnología de superunión TrenchMOS avanzada. Este producto se ha diseñado y calificado para aplicaciones de conmutación de potencia de alto rendimiento. Está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, incluidas rectificación síncrona, convertidores dc a dc, fuentes de alimentación de servidor, control de motor dc sin escobillas, protección de batería y soluciones de interruptor de carga/eFuse. Ofrece una alta eficiencia y un rendimiento fiable en una amplia gama de tareas de gestión de potencia.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

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