MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN0R7-25YLDX, VDSS 25 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

3.814,50 €

(exc. IVA)

4.615,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 03 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +2,543 €3.814,50 €

*precio indicativo

Código RS:
219-350
Nº ref. fabric.:
PSMN0R7-25YLDX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

PSMN0R7

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.92mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.1mm

Longitud

5.3mm

Anchura

4.7 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Enlaces relacionados