MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN7R5-60YLX, VDSS 60 V, ID 86 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-366
Nº ref. fabric.:
PSMN7R5-60YLX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

147W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC 60134

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia se suministra en un encapsulado LFPAK56 y utiliza la tecnología TrenchMOS y está diseñado para su uso en una amplia gama de aplicaciones de control de motor y fuente de alimentación. Los usos clave incluyen rectificación síncrona en topología LLC, cargadores y adaptadores con tensión de salida inferior a 10 V, aplicaciones de carga rápida y USB-PD, control de motor alimentado por batería y iluminación de LED/retroiluminación de TV.

Funcionamiento de puerta de nivel lógico

Valor nominal de avalancha y 100 % probado

LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un encapsulado SO8 de potencia

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