MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN7R2-100YSFX, VDSS 100 V, ID 111 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-372
Nº ref. fabric.:
PSMN7R2-100YSFX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

111A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

194W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está calificado para 175 °C. Es ideal para aplicaciones industriales y de consumo. Es adecuado para rectificación síncrona en convertidores ac-dc y dc-dc, conmutación lateral primaria en sistemas dc-dc de 48 V, control de motor BLDC, USB-PD y adaptadores de carga rápida móviles, así como topologías de resonancia y flyback.

Rendimiento de energía de avalancha fuerte

Valor nominal de avalancha y 100 % probado

Libre de Ha y conforme con RoHS

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