MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R3-80YSFX, VDSS 80 V, ID 160 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

1,67 €

(exc. IVA)

2,02 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 91,67 €
10 - 991,51 €
100 - 4991,38 €
500 - 9991,28 €
1000 +1,15 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-378
Nº ref. fabric.:
PSMN3R3-80YSFX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Disipación de potencia máxima Pd

254W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está calificado para 175 °C. Es ideal para aplicaciones industriales y de consumo. Es adecuado para rectificación síncrona en convertidores ac-dc y dc-dc, conmutación lateral primaria en sistemas dc-dc de 48 V, control de motor BLDC, USB-PD y adaptadores de carga rápida móviles, así como topologías de resonancia y flyback.

Rendimiento de energía de avalancha fuerte

Valor nominal de avalancha y 100 % probado

Libre de Ha y conforme con RoHS

Enlaces relacionados